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参数资料
| 型号： | NID5003NT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET PWR HD+ 20A 42V ESD DPAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HDPlus™ |
| 类型： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 1 |
| 导通状态电阻： | 42 毫欧 |
| 电流 - 峰值输出： | 20A |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NID5003NT4GOSDKR |
NID5003N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
35
30
25
20
15
10
V GS = 9 V
V GS = 7 V
V GS = 6 V
Current Limit
Inception Region
V GS = 10 V
V GS = 8 V
V GS = 5 V
25
20
15
10
V DS ≥ 10 V
T J = ? 55 ° C
25 ° C
100 ° C
5
V GS = 4 V
5
0
0
0.5
1
1.5
2
T J = 25 ° C
2.5 3
3.5
V GS = 3 V
4 4.5
5
0
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
1.0
0.9
0.8
I D = 5 A
T J = 25 ° C
0.06
0.055
T J = 25 ° C
V GS = 5 V
0.7
0.6
0.5
0.05
0.045
0.4
0.3
0.2
0.1
0.04
0.035
V GS = 10 V
0
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.03
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.8
1.6
1.4
I D = 5 A
V GS = 10 V
100000
10000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
1000
100
T J = 100 ° C
0
? 50 ? 30 ? 10
10
30
50
70
90
110 130 150
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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