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参数资料
| 型号： | NID9N05CLT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH CLAMP 9A 52V DPAK |
| 产品目录绘图： | MOSFET DPAK Pkg |
| 标准包装： | 10 |
| 类型： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 1 |
| 导通状态电阻： | 153 毫欧 |
| 电流 - 峰值输出： | 9A |
| 工作温度： | -55°C ~ 175°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | DPAK-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NID9N05CLT4GOSDKR |
NID9N05CL, NID9N05ACL
500
400
300
Frequency = 10 kHz
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
200
100
C oss
C iss
0
0
C rss
10
20
30
40
50
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
5
4
3
Q gs
Q T
Q gd
V GS
50
40
30
10,000
V DD = 40 V
I D = 9 A
V GS = 10 V
t d(off)
2
1
V DS
I D = 9 A
T J = 25 ° C
20
10
1000
t f
t r
t d(on)
0
0
1
2
3
4
5
0
100
1
10
100
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? To ? Source and Drain ? To ? Source
Voltage versus Total Charge
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation versus Gate Resistance
DRAIN ? TO ? SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
10
8
6
4
2
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus Current
http://onsemi.com
5
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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