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参数资料
| 型号： | NIF62514T1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH HD+ 6A 40V SOT223 |
| 产品变化通告： | Specification Change MSL Updated 2/April/2007 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SOT-223 Pkg |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HDPlus™ |
| 类型： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 1 |
| 导通状态电阻： | 90 毫欧 |
| 电流 - 峰值输出： | 6A |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NIF62514T1GOSDKR |
NIF62514
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
12
10
8
6
V GS = 10 V
5V
4V
7V
6V
8
7
6
5
4
T J = 150 ° C
V GS = 10 V
7V
5V
4V
6V
4
3
3V
2
0
0
1
2
3
4
3V
T J = 25 ° C
5
6
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
14
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. Output Characteristics
12
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Output Characteristics
12
10
8
6
4
V GS = 10 V
5V
4V
T J = ? 40 ° C
7V
6V
10
8
6
4
V DS = 5 V
T J = ? 40 ° C
T J = 25 ° C
T J = 150 ° C
2
3V
2
0
0
1
2
3
4
5
6
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
250
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. Output Characteristics
250
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 4. Transfer Characteristics
225
200
175
150
125
100
V GS = 10 V
I D = 1.4 A
Maximum
225
200
175
150
125
100
V GS = 5 V
I D = 1.4 A
Maximum
75
50
25
0
Typical
75
50
25
0
Typical
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. Drain ? to ? Source Resistance versus
Junction Temperature
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 6. Drain ? to ? Source Resistance versus
Junction Temperature
http://onsemi.com
4
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PDF描述 |
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参数描述 |
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