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参数资料
| 型号： | NIF62514T1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH HD+ 6A 40V SOT223 |
| 产品变化通告： | Specification Change MSL Updated 2/April/2007 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SOT-223 Pkg |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HDPlus™ |
| 类型： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 1 |
| 导通状态电阻： | 90 毫欧 |
| 电流 - 峰值输出： | 6A |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NIF62514T1GOSDKR |
NIF62514
4
2.50
3
V DS = 32 V
2.25
2.00
1.75
V TH + 4 Sigma
V TH
I D = 150 m A
1.50
V TH ? 4 Sigma
2
1
Typical
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
0
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
0
? 50 ? 30 ? 10
10
30
50
70
90
110 130 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 7. Drain ? to ? Source Resistance versus
Junction Temperature
12
Current Limit
10
TEMPERATURE ( ° C)
Figure 8. Gate Threshold Voltage versus
Temperature
8
6
4
2
V GS = 10 V
V GS = 5 V
Temperature Limit
0
0
1
2
3
4
5
TIME (ms)
Figure 9. Short ? circuit Response
100
Duty Cycle = 0.5
10
0.2
0.1
0.05
0.02
P (pk)
D CURVES APPLY
FOR POWER
1
0.1
0.01
0.00001
Single Pulse
0.0001
0.001
0.01
t 1
t 2
DUTY CYCLE, D = t 1 /t 2
0.1
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT T 1
T J(pk) ? T A = P (pk) R q JA (t)
R q JC @ R(t) for t ≤ 0.02
s
1 10
t,TIME (S)
Figure 10. Transient Thermal Resistance
(Non ? normalized Junction ? to ? Ambient mounted on minimum pad area)
http://onsemi.com
5
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PDF描述 |
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参数描述 |
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