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参数资料
| 型号： | NIF9N05CLT1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223 |
| 产品变化通告： | Specification Change MSL Updated 2/April/2007 Product Discontinuation 20/Aug/2008 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 52V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 125 毫欧 @ 2.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 250pF @ 35V |
| 功率 - 最大： | 1.69W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NIF9N05CLT1OSCT |
NIF9N05CL, NIF9N05ACL
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
6
V GS = 10, 5 & 4 V
3.8 V
T J = 25 ° C
6
V DS ≥ 10 V
3.6 V
5
4
3.4 V
3.2 V
4
3
2
3V
2
T J = ? 55 ° C
0
0
1
2
3
4
5
6
2.8 V
2.6 V
2.4 V
7
8
9
10
1
0
1
T J = 25 ° C
2
T J = 100 ° C
3
4
5
6
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.4
0.3
I D = 2 A
T J = 25 ° C
0.24
0.2
T J = 25 ° C
V GS = 4 V
0.2
0.16
0.1
0.12
V GS = 10 V
0
2
4 6
8 10
12
0.08
1
2
3
4
5
6
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.9
1.7
1.5
1.3
I D = 2.6 A
V GS = 12 V
1000000
100000
1.1
10000
T J = 150 ° C
T J = 100 ° C
0.9
0.7
0.5
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
1000
30
35
40
45
50
55
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
4
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NILMS4501NR2G | IC MOSF N-CH 9.5A 24V ESD 4-PLLP |
| NJ28RA0104F-- | THERMISTOR NTC 100KOHM 1% |
| NL276C2G | INDICATOR 105-130V GREEN |
| NL589C2A | LAMP NEON PNL MNT 125V AMBER |
| NL589WL2G | LAMP NEON PNL MNT 125V GREEN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NIF9N05CLT1G | 功能描述:MOSFET 52V 2.6A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NIF9N05CLT3 | 功能描述:MOSFET 52V 2.6A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NIF9N05CLT3G | 功能描述:MOSFET 52V 2.6A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NIFP-1601 | 制造商:NI 制造商全称:National Instruments Corporation 功能描述:Analog Input Modules for Compact FieldPoint and FieldPoint |
| NIFP-AI-100 | 制造商:NI 制造商全称:National Instruments Corporation 功能描述:Analog Input Modules for Compact FieldPoint and FieldPoint |
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