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参数资料
| 型号： | NIF9N05CLT1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223 |
| 产品变化通告： | Specification Change MSL Updated 2/April/2007 Product Discontinuation 20/Aug/2008 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 52V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 125 毫欧 @ 2.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 250pF @ 35V |
| 功率 - 最大： | 1.69W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NIF9N05CLT1OSCT |
NIF9N05CL, NIF9N05ACL
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
500
C iss
400 V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
4
V DS
Q GS
Q T
Q GD
V GS
50
40
300
200
C rss
C iss
3
2
30
20
100
0
10
5
V GS
0
V DS
5
10
15
20
25
C oss
C rss
30
35
1
0
0
1
I D = 2.6 A
T J = 25 ° C
2 3 4
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
5
10
0
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. Gate ? to ? Source Voltage vs. Total
Gate Charge
100000
10000
1000
100
V DD = 40 V
I D = 2.6 A
V GS = 10 V
t d(off)
t f
t r
t d(on)
3
2
1
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
1
10
100
0
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistance Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
ORDERING INFORMATION
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
NIF9N05CLT1
NIF9N05CLT1G
NIF9N05ACLT1G
NIF9N05CLT3
NIF9N05CLT3G
NIF9N05ACLT3G
Device
Package
SOT ? 223
SOT ? 223
(Pb ? Free)
SOT ? 223
SOT ? 223
(Pb ? Free)
Shipping ?
1000 / Tape & Reel
4000 / Tape & Reel
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
5
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PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NIF9N05CLT1G | 功能描述:MOSFET 52V 2.6A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NIF9N05CLT3 | 功能描述:MOSFET 52V 2.6A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NIF9N05CLT3G | 功能描述:MOSFET 52V 2.6A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NIFP-1601 | 制造商:NI 制造商全称:National Instruments Corporation 功能描述:Analog Input Modules for Compact FieldPoint and FieldPoint |
| NIFP-AI-100 | 制造商:NI 制造商全称:National Instruments Corporation 功能描述:Analog Input Modules for Compact FieldPoint and FieldPoint |
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