参数资料
型号: NLAS8252MUTAG
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 4/8页
文件大小: 0K
描述: IC SWITCH DP3T 12UQFN
标准包装: 1
功能: 开关
电路: 1 x DP3T
导通状态电阻: 4.5 欧姆
电压电源: 单电源
电压 - 电源,单路/双路(±): 1.65 V ~ 4.5 V
电流 - 电源: 1µA
工作温度: -40°C ~ 85°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 12-UFQFN
供应商设备封装: 12-UQFN(2.0x1.7)
包装: 标准包装
产品目录页面: 1131 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: NLAS8252MUTAGOSDKR
NLAS8252
http://onsemi.com
4
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
CONTROL INPUT (TYPICAL: T = 255C; VCC = 3.3 V)
Symbol
Pins
Parameter
Test Conditions
VCC
Min
Typ
Max
Unit
VIH
INx
Control Input High
Figures 2
2.7 V
3.3 V
4.2 V
1.25
1.35
1.50
V
VIL
INx
Control Input Low
Figures 2
2.7 V
3.3 V
4.2 V
0.4
0.5
V
IIN
INx
Control Input Leakage
VIS = GND
$1.0
mA
SUPPLY CURRENT AND LEAKAGE (TYPICAL: T = 255C; VCC = 3.3 V, VIN = VCC or GND)
Symbol
Pins
Parameter
Test Conditions
VCC
Min
Typ
Max
Unit
INO/NC (OFF)
NC, NO
OFF State Leakage
VCOM = 3.6 V
VNC = 1.0 V
$1.0
mA
ICOM (ON)
COM
ON State Leakage
$1.0
mA
ICC
VCC
Quiescent Supply
VIS = VCC or GND, ID = 0;
1.0
mA
IOFF
Power OFF Leakage
VIS = GND
1.0
mA
ON RESISTANCE (TYPICAL: T = 255C; VCC = 3.3 V)
Symbol
Pins
Parameter
Test Conditions
VCC
Min
Typ
Max
Unit
RON
1Sx, 2Sx COMx ON Resistance
ION = 8 mA, VIS = 0 to VCC;
2.7 V
3.3 V
4.2 V
5
4
3.5
6
5
4.5
W
RFLAT
1Sx, 2Sx COMx RON Flatness
ION = 8 mA, VIS = 0 to VCC;
2.7 V
3.3 V
4.2 V
1.3
1.4
1.6
W
DRON
1Sx, 2Sx COMx RON Matching
ION = 8 mA, VIS = 0 to VCC;
2.7 V
3.3 V
4.2 V
0.35
W
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