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参数资料
| 型号： | NP110N04PUG-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263 |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 110A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.8 毫欧 @ 55A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 390nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 25700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NP110N04PUG
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C)
120
100
80
60
40
20
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
300
250
200
150
100
50
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T C - Case Temperature - ° C
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
T C - Case Temperature - ° C
1000
I D(pulse) = 440 A
I D(DC) = 110 A
PW = 100 μ s
100
10
1
0.1
R DS(on) Limited
(at V GS = 10 V)
T C = 25°C
Single pulse
DC
1 ms
10 ms
0.1
1
10
100
V DS - Drain to Source Voltage - V
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
1000
R th(ch-A) = 83.3°C/W
100
10
1
R th(ch-C) = 0.52°C/W
0.1
0.01
Single pulse
0.001
100 μ
1m
10 m
100 m 1
PW - Pulse Width - s
10
100
1000
Data Sheet D16852EJ1V0DS
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NP110N04PUJ-E1B-AY | MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263 |
| NP110N055PUG-E2-AY | MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263 |
| NP110N055PUJ-E2B-AY | MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263 |
| NP15P06SLG-E1-AY | MOSFET P-CH -60V MP-3ZK/TO-252 |
| NP160N04TUG-E1-AY | MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NP110N04PUG-E1-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Transistor,FET,Nch,40V/110A,Tch175 |
| NP110N04PUJ | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| NP110N04PUJ-E1B-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NP110N04PUJ-E2B-AY | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| NP110N04PUK | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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