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参数资料
| 型号： | NP110N04PUG-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263 |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 110A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.8 毫欧 @ 55A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 390nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 25700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NP110N04PUG
500
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
1000
V DS = 10 V
400
300
200
100
0
V GS = 10 V
Pulsed
100
10
1
0.1
0.01
0.001
Pulsed
T A = ? 55°C
? 25°C
25°C
75°C
125°C
150°C
175°C
0
0.2
0.4
0.6
0.8
0
1
2
3
4
5
6
V DS - Drain to Source Voltage - V
GATE TO SOURCE THRESHOLD VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
4
1000
V GS - Gate to Source Voltage - V
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
V DS = 10 V
Pulsed
3
2
1
V DS = V GS
I D = 250 μ A
100
10
T A = ? 55°C
25°C
85°C
125°C
175°C
0
1
-100
-50
0
50
100
150
200
1
10
100
1000
T ch - Channel Temperature - ° C
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
4
I D - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
5
I D = 110 A
Pulsed
3
4
3
55 A
22 A
2
1
0
V GS = 10 V
Pulsed
2
1
0
1
10
100
1000
0
5
10
15
20
25
4
I D - Drain Current - A
Data Sheet D16852EJ1V0DS
V GS - Gate to Source Voltage - V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NP110N04PUJ-E1B-AY | MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263 |
| NP110N055PUG-E2-AY | MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263 |
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| NP160N04TUG-E1-AY | MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NP110N04PUG-E1-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Transistor,FET,Nch,40V/110A,Tch175 |
| NP110N04PUJ | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| NP110N04PUJ-E1B-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NP110N04PUJ-E2B-AY | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| NP110N04PUK | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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