- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录484 > NP110N055PUG-E2-AY (Renesas Electronics America)MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NP110N055PUG-E2-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263 |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 110A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.4 毫欧 @ 55A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 380nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 25700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NP110N055PUG
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C)
CHARACTERISTICS
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate Leakage Current
SYMBOL
I DSS
I GSS
TEST CONDITIONS
V DS = 55 V, V GS = 0 V
V GS = ± 20 V, V DS = 0 V
MIN.
TYP.
MAX.
1
± 100
UNIT
μ A
nA
Gate to Source Threshold Voltage
Note
Forward Transfer Admittance
Note
V GS(th)
| y fs |
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V DS = 10 V, I D = 55 A
2.0
42
3.0
83
4.0
V
S
Drain to Source On-state Resistance
Note
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 55 A
1.9
2.4
m ?
Input Capacitance
C iss
V DS = 25 V
17100 25700
pF
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate to Source Charge
Gate to Drain Charge
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q G
Q GS
Q GD
V GS = 0 V
f = 1 MHz
V DD = 28 V, I D = 55 A
V GS = 10 V
R G = 0 ?
V DD = 44 V
V GS = 10 V
I D = 110 A
1120
725
63
201
131
19
251
63
81
1680
1310
140
510
270
50
380
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
Body Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Note
V F(S-D)
t rr
Q rr
I F = 110 A, V GS = 0 V
I F = 110 A, V GS = 0 V
di/dt = 100 A/ μ s
0.9
58
87
1.5
V
ns
nC
Note Pulsed
TEST CIRCUIT 1 AVALANCHE CAPABILITY
TEST CIRCUIT 2 SWITCHING TIME
PG.
D.U.T.
R G = 25 ?
50 ?
L
V DD
PG.
D.U.T.
R G
R L
V DD
V GS
Wave Form
V GS
0
10%
V GS
90%
V GS = 20 → 0 V
V DS
90%
90%
V DD
I D
I AS
BV DSS
V DS
V GS
0
τ
V DS
Wave Form
V DS
0
t d(on)
10%
t r
10%
t d(off)
t f
Starting T ch
τ = 1 μ s
Duty Cycle ≤ 1%
t on
t off
TEST CIRCUIT 3 GATE CHARGE
D.U.T.
I G = 2 mA
R L
2
PG.
50 ?
V DD
Data Sheet D16853EJ1V0DS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NP110N055PUJ-E2B-AY | MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263 |
| NP15P06SLG-E1-AY | MOSFET P-CH -60V MP-3ZK/TO-252 |
| NP160N04TUG-E1-AY | MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7 |
| NP161N04TUG-E1-AY | MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7 |
| NP180N04TUG-E1-AY | MOSFET N-CH 40V 180A TO-263-7 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NP110N055PUJ-E2B-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NP110N055PUK | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| NP110N055PUK-E1-AY | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:MOSFET - Rail/Tube 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 55V 110A TO-263 |
| NP111-273K | 制造商:YAMAICHI 功能描述: 制造商:Yamaichi Electronics 功能描述: |
| NP112 | 制造商:Hubbell Wiring Device-Kellems 功能描述:WALLPLATE, 2-G, 1) TOG 1) .406 OPNG, BR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。