- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录484 > NP110N055PUG-E2-AY (Renesas Electronics America)MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NP110N055PUG-E2-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263 |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 110A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.4 毫欧 @ 55A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 380nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 25700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NP110N055PUG
500
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
1000
V DS = 10 V
400
300
200
100
10
1
0.1
Pulsed
T A = ? 55°C
? 25°C
25°C
85°C
125°C
150°C
175°C
100
0
V GS = 10 V
Pulsed
0.01
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0
1
2
3
4
5
6
V DS - Drain to Source Voltage - V
GATE TO SOURCE THRESHOLD VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
V GS - Gate to Source Voltage - V
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
4
3
2
1000
100
V DS = 10 V
Pulsed
T A = ? 55°C
25°C
85°C
125°C
175°C
10
1
V DS = V GS
I D = 250 μ A
0
1
-100
-50
0
50
100
150
200
1
10
100
1000
T ch - Channel Temperature - ° C
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
I D - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
5
4
Pulsed
5
4
I D = 110 A
55 A
Pulsed
22 A
3
3
2
1
0
V GS = 10 V
2
1
0
1
10
100
1000
0
5
10
15
20
25
4
I D - Drain Current - A
Data Sheet D16853EJ1V0DS
V GS - Gate to Source Voltage - V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NP110N055PUJ-E2B-AY | MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263 |
| NP15P06SLG-E1-AY | MOSFET P-CH -60V MP-3ZK/TO-252 |
| NP160N04TUG-E1-AY | MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7 |
| NP161N04TUG-E1-AY | MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7 |
| NP180N04TUG-E1-AY | MOSFET N-CH 40V 180A TO-263-7 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NP110N055PUJ-E2B-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NP110N055PUK | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| NP110N055PUK-E1-AY | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:MOSFET - Rail/Tube 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 55V 110A TO-263 |
| NP111-273K | 制造商:YAMAICHI 功能描述: 制造商:Yamaichi Electronics 功能描述: |
| NP112 | 制造商:Hubbell Wiring Device-Kellems 功能描述:WALLPLATE, 2-G, 1) TOG 1) .406 OPNG, BR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。