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参数资料
| 型号： | NP160N04TUG-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7 |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 160A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 270nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 15750pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片） |
| 供应商设备封装： | TO-263-7 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NP160N04TUG
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C)
CHARACTERISTICS
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate Leakage Current
Gate to Source Threshold Voltage
SYMBOL
I DSS
I GSS
V GS(th)
TEST CONDITIONS
V DS = 40 V, V GS = 0 V
V GS = ± 20 V, V DS = 0 V
V DS = V GS , I D = 250 μ A
MIN.
2.0
TYP.
3.0
MAX.
1
± 100
4.0
UNIT
μ A
nA
V
Forward Transfer Admittance
Note
| y fs |
V DS = 5 V, I D = 40 A
28
76
S
Drain to Source On-state Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
Note
R DS(on)
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
V GS = 10 V, I D = 80 A
V DS = 25 V,
V GS = 0 V,
f = 1 MHz
V DD = 20 V, I D = 80 A,
V GS = 10 V,
R G = 0 Ω
1.6
10500
980
630
47
67
94
19
2.0
15750
1470
1140
110
170
190
50
m Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
Total Gate Charge
Note
Q G
V DD = 32 V,
178
270
nC
Gate to Source Charge
Gate to Drain Charge
Q GS
Q GD
V GS = 10 V,
I D = 160 A
44
61
nC
nC
Body Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Note
V F(S-D)
t rr
Q rr
I F = 160 A, V GS = 0 V
I F = 160 A, V GS = 0 V,
di/dt = 100 A/ μ s
0.92
50
75
1.5
V
ns
nC
Note Pulsed test
TEST CIRCUIT 1 AVALANCHE CAPABILITY
TEST CIRCUIT 2 SWITCHING TIME
PG.
D.U.T.
R G = 25 Ω
50 Ω
L
V DD
PG.
D.U.T.
R G
R L
V DD
V GS
Wave Form
V GS
0
10%
V GS
90%
V GS = 20 → 0 V
V DS
90%
90%
V DD
I D
I AS
BV DSS
V DS
V GS
0
τ
V DS
Wave Form
V DS
0
t d(on)
10%
t r
10%
t d(off)
t f
Starting T ch
τ = 1 μ s
Duty Cycle ≤ 1%
t on
t off
TEST CIRCUIT 3 GATE CHARGE
D.U.T.
I G = 2 mA
R L
2
PG.
50 Ω
V DD
Data Sheet D18754EJ1V0DS
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