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参数资料
| 型号： | NP160N04TUG-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7 |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 160A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 270nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 15750pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片） |
| 供应商设备封装： | TO-263-7 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NP160N04TUG
700
600
500
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
1000
100
10
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
400
300
200
1
0.1
T A = ? 55 ° C
25 ° C
75 ° C
125 ° C
175 ° C
100
0
V GS = 10 V
Pulsed
0.01
0.001
V DS = 10 V
Pulsed
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
1
2
3
4
5
6
V DS - Drain to Source Voltage - V
GATE TO SOURCE THRESHOLD VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
4
3.5
3
1000
V GS - Gate to Source Voltage - V
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
T ch = ? 55 ° C
25 ° C
2.5
2
1.5
1
100
10
75 ° C
0.5
0
V DS = V GS
I D = 250 μ A
1
150 ° C
175 ° C
V DS = 5 V
Pulsed
-75
-25
25
75
125
175
225
0.1
1
10
100
T ch - Channel Temperature - ° C
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
5
V GS = 10 V
I D - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
10
I D = 80 A
4
3
2
1
0
Pulsed
8
6
4
2
0
Pulsed
1
10
100
1000
0
5
10
15
20
4
I D - Drain Current - A
Data Sheet D18754EJ1V0DS
V GS - Gate to Source Voltage - V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NP161N04TUG-E1-AY | MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NP160N04TUJ-E2-AY | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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