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参数资料
| 型号： | NP32N055SLE-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 32A TO-252 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 32A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 16A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 41nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252（MP-3ZK） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NP32N055HLE,NP32N055ILE,NP32N055SLE
Figure6. FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
Figure7. DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
100
10
Pulsed
T A = ? 55 ?C
25 ?C
120
100
80
V GS =10 V
Pulsed
75 ?C
1
150 ?C
175?C
60
40
4.5 V
5.0 V
0.1
20
0.01
1.0
2.0
3.0
4.0
V DS = 10 V
5.0
6.0
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V GS - Gate to Source Voltage - V
Figure8. FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
V DS - Drain to Source Voltage - V
Figure9. DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
100 Pulsed
V DS = 10 V
10
T A = 175 ?C
40
30
Pulsed
1
0.1
75 ?C
25 ?C
? 55 ?C
20
10
I D = 16 A
0.01
0.01
0.1
1
10
100
0
0
2
4
6
8
10 12
14
16 18
20
I D - Drain Current - A
Figure10. DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
V GS - Gate to Source Voltage - V
Figure11. GATE TO SOURCE THRESHOLD VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
80
70
Pulsed
3.0
V DS = V GS
I D = 250 μ A
60
50
40
30
V GS = 10 V
5.0 V
4.5 V
2.0
1.0
20
10
0
0.1
1
10
100
0
? 50
0
50
100
150
4
I D - Drain Current - A
Data Sheet D14137EJ5V0DS
T ch - Channel Temperature - ?C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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