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参数资料
| 型号： | NP34N055SLE-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 34A TO-252 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 34A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18 毫欧 @ 17A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 72nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252（MP-3ZK） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
DATA SHEET
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
NP34N055HLE, NP34N055ILE, NP34N055SLE
SWITCHING
N-CHANNEL POWER MOSFET
DESCRIPTION
ORDERING INFORMATION
These products are N-Channel MOS Field Effect Tran-
sistors designed for high current switching applications.
PART NUMBER
NP34N055HLE
PACKAGE
TO-251 (JEITA) / MP-3
FEATURES
NP34N055ILE
Note
TO-252 (JEITA) / MP-3Z
? Channel temperature 175 degree rated
? Super low on-state resistance
R DS(on)1 = 18 m ? MAX. (V GS = 10 V, I D = 17 A)
NP34N055SLE
Note Not for new design.
TO-252 (JEDEC) / MP-3ZK
R DS(on)2 = 22 m ? MAX. (V GS = 5 V, I D = 17 A)
? Low C iss : C iss = 2000 pF TYP.
? Built-in gate protection diode
(TO-251)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T A = 25°C)
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current (DC)
V DSS
V GSS
I D(DC)
55
±20
±34
V
V
A
Drain Current (Pulse)
Note1
I D(pulse)
±136
A
Total Power Dissipation (T A = 25°C)
Total Power Dissipation (T C = 25°C)
P T
P T
1.2
88
W
W
(TO-252)
Single Avalanche Current
Single Avalanche Energy
Channel Temperature
Storage Temperature
Note2
Note2
I AS
E AS
T ch
T stg
34 / 27 / 10
11 / 72 / 100
175
–55 to + 175
A
mJ
°C
°C
Notes 1. PW ≤ 10 μ s, Duty Cycle ≤ 1%
2. Starting T ch = 25°C, R G = 25 ?, V GS = 20 → 0 V (See Figure 4.)
THERMAL RESISTANCE
Channel to Case Thermal Resistance
Channel to Ambient Thermal Resistance
R th(ch-C)
R th(ch-A)
1.70
125
°C/W
°C/W
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sales representative for availability and additional information.
Document No. D14154EJ4V0DS00 (4th edition)
Date Published July 2005 NS CP(K)
Printed in Japan
The mark
shows major revised points.
1999, 2005
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NP36N055SHE-E1-AY | MOSFET N-CH 55V 36A TO252 |
| NP36N055SLE-E1-AY | MOSFET N-CH 55V 36A TO-252 |
| NP36P04KDG-E1-AY | MOSFET P-CH -40V -36A TO-263 |
| NP36P04SDG-E1-AY | MOSFET P-CH -40V -36A TO-252 |
| NP36P06KDG-E1-AY | MOSFET P-CH -60V -36A TO-263 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NP34W | 制造商:Hubbell Wiring Device-Kellems 功能描述:WALLPLATE, 3-G, 3 STRP MT BLANK, WH |
| NP3500SAMCT3G | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:50A, Ultra Low Capacitance TSPD |
| NP3500SAT3G | 功能描述:硅对称二端开关元件 50A 350V TSPD SMB RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| NP3500SB1T3G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 330V 80A SMB SPCL THY RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| NP3500SBMCT3G | 功能描述:硅对称二端开关元件 LOW CAP TSPD SURGE DEVICE RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
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