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参数资料
| 型号： | NP34N055SLE-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 34A TO-252 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 34A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18 毫欧 @ 17A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 72nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252（MP-3ZK） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NP34N055HLE, NP34N055ILE, NP34N055SLE
Figure6. FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
Figure7. DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
100 Pulsed
Pulsed
200
10
T A = ? 55 ?C
25 ?C
75 ?C
160
V GS = 10 V
1
0.1
150 ?C
175?C
120
80
40
4.5 V
5V
0.01
1
2
3
4
5
6
0
0
2
4
6
8
V GS - Gate to Source Voltage - V
Figure8. FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
V DS - Drain to Source Voltage - V
Figure9. DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
100
V DS =10V
Pulsed
40
35
Pulsed
10
T A = 175 ?C
75 ?C
30
25
1
25 ?C
? 55 ?C
20
I D = 17 A
15
0.1
10
5
0.01
0.01
0.1
1
10
100
0
0
5
10
15
20
I D - Drain Current - A
Figure10. DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
V GS - Gate to Source Voltage - V
Figure11. GATE TO SOURCE THRESHOLD VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
40
35
30
25
20
15
V GS = 10 V
5V
4.5 V
Pulsed
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
V DS = V GS
I D = 250 μ A
10
5
0.5
0
1
10
100
1000
0
? 50
0
50
100
150
4
I D - Drain Current - A
Data Sheet D14154EJ4V0DS
T ch - Channel Temperature - ?C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NP36N055SHE-E1-AY | MOSFET N-CH 55V 36A TO252 |
| NP36N055SLE-E1-AY | MOSFET N-CH 55V 36A TO-252 |
| NP36P04KDG-E1-AY | MOSFET P-CH -40V -36A TO-263 |
| NP36P04SDG-E1-AY | MOSFET P-CH -40V -36A TO-252 |
| NP36P06KDG-E1-AY | MOSFET P-CH -60V -36A TO-263 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NP34W | 制造商:Hubbell Wiring Device-Kellems 功能描述:WALLPLATE, 3-G, 3 STRP MT BLANK, WH |
| NP3500SAMCT3G | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:50A, Ultra Low Capacitance TSPD |
| NP3500SAT3G | 功能描述:硅对称二端开关元件 50A 350V TSPD SMB RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| NP3500SB1T3G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 330V 80A SMB SPCL THY RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| NP3500SBMCT3G | 功能描述:硅对称二端开关元件 LOW CAP TSPD SURGE DEVICE RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
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