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参数资料
| 型号： | NP34N055SLE-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 34A TO-252 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 34A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18 毫欧 @ 17A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 72nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252（MP-3ZK） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NP34N055HLE, NP34N055ILE, NP34N055SLE
Figure12. DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
Figure13. SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
45
Pulsed
1000
Pulsed
40
35
100
30
V GS = 10 V
V GS = 10 V
25
20
5V
4.5 V
10
V GS = 0 V
15
10
5
1
0
? 50
0
50
100
I D = 17 A
150
0.1
0
0.5
1.0
1.5
T ch - Channel Temperature - ?C
Figure14. CAPACITANCE vs. DRAIN TO
V SD - Source to Drain Voltage - V
Figure15. SWITCHING CHARACTERISTICS
10000
SOURCE VOLTAGE
V GS = 0 V
1000
f = 1 MHz
1000
C iss
100
t f
t d(off)
t d(on)
100
C oss
C rss
10
t r
1
10
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V DS - Drain to Source Voltage - V
Figure16. REVERSE RECOVERY TIME vs.
I D - Drain Current - A
Figure17. DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
100
DRAIN CURRENT
di/dt = 100 A/ μ s
V GS = 0 V
80
70
60
50
V DD = 44 V
28 V
V GS
16
14
12
10
11 V
40
30
8
6
10
20
4
10
V DS
I D = 34 A
2
1
0.1
1
10
100
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
I F - Drain Current - A
Data Sheet D14154EJ4V0DS
Q G - Gate Charge - nC
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NP36N055SHE-E1-AY | MOSFET N-CH 55V 36A TO252 |
| NP36N055SLE-E1-AY | MOSFET N-CH 55V 36A TO-252 |
| NP36P04KDG-E1-AY | MOSFET P-CH -40V -36A TO-263 |
| NP36P04SDG-E1-AY | MOSFET P-CH -40V -36A TO-252 |
| NP36P06KDG-E1-AY | MOSFET P-CH -60V -36A TO-263 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NP34W | 制造商:Hubbell Wiring Device-Kellems 功能描述:WALLPLATE, 3-G, 3 STRP MT BLANK, WH |
| NP3500SAMCT3G | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:50A, Ultra Low Capacitance TSPD |
| NP3500SAT3G | 功能描述:硅对称二端开关元件 50A 350V TSPD SMB RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| NP3500SB1T3G | 功能描述:肖特基二极管与整流器 330V 80A SMB SPCL THY RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| NP3500SBMCT3G | 功能描述:硅对称二端开关元件 LOW CAP TSPD SURGE DEVICE RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
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