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参数资料
| 型号： | NP55N055SUG-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 55A TO-252 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 55A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 毫欧 @ 28A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 90nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5250pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252（MP-3ZK） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NP55N055SUG
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C)
120
100
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
100
80
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
80
60
60
40
20
0
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
25
50
75
100
125
150
175
1000
T C - Case Temperature - ° C
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
T C - Case Temperature - ° C
R DS(on) Limited
I D(pulse) = 220 A
100
10
(at V GS = 10 V)
I D(DC) = 55 A
PW = 100 μ s
1 ms
DC
1
10 ms
T C = 25°C
Single pulse
0.1
0.1
1
10
100
V DS - Drain to Source Voltage - V
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
1000
R th(ch-A) = 125°C/W
100
10
R th(ch-C) = 1.95°C/W
1
0.1
Single pulse
0.01
100 μ
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - Pulse Width - s
Data Sheet D16863EJ2V0DS
3
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PDF描述 |
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