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参数资料
| 型号： | NP55N055SUG-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 55A TO-252 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 55A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 毫欧 @ 28A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 90nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5250pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252（MP-3ZK） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NP55N055SUG
260
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
1000
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
240
Pulsed
V DS = 10 V
220
200
180
160
140
120
100
80
60
40
V GS = 10 V
100
10
1
0.1
0.01
Pulsed
T A = ? 55°C
? 25°C
25°C
75°C
125°C
150°C
175°C
20
0
0.001
0
2
4
6
8
10
12
14
0
2
4
6
4.0
3.5
3.0
V DS - Drain to Source Voltage - V
GATE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
100
V GS - Gate to Source Voltage - V
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
T A = ? 55°C
25°C
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
V GS = V DS
I D = 250 μ A
10
1
0
V DS = 10 V
Pulsed
125°C
175°C
-100
-50
0
50
100
150
200
0.1
1
10
100
1000
T ch - Channel Temperature - ° C
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
30
I D - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
20
18
Pulsed
25
20
15
16
14
12
10
I D = 44 A
28 A
11 A
10
V GS = 10 V
8
6
5
0
Pulsed
4
2
0
1
10
100
1000
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
4
I D - Drain Current - A
Data Sheet D16863EJ2V0DS
V GS - Gate to Source Voltage - V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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