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参数资料
| 型号： | NP60N055KUG-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 60A TO-263 |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.4 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 92nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NP60N055KUG
300
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
Pulsed
1000
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
V DS = 10 V
100
Pulsed
200
100
V GS = 10 V
10
1
0.1
T A = ? 55°C
25°C
75°C
125°C
175°C
0.01
0
0.001
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
1
2
3
4
5
6
7
V DS - Drain to Source Voltage - V
GATE TO SOURCE THRESHOLD VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
4.0
100
V GS - Gate to Source Voltage - V
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
V DS = V GS
I D = 250 μ A
Pulsed
10
1
0
V DS = 10 V
Pulsed
T A = ? 50°C
25°C
125°C
175°C
-100
-50
0
50
100
150
200
0.1
1
10
100
1000
T ch - Channel Temperature - ° C
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
30
I D - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
20
25
20
15
Pulsed
18
16
14
12
10
I D = 48 A
30 A
12 A
Pulsed
10
5
0
V GS = 10 V
8
6
4
2
0
1
10
100
1000
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
4
I D - Drain Current - A
Data Sheet D16862EJ1V0DS
V GS - Gate to Source Voltage - V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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