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参数资料
| 型号： | NP70N10KUF-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 70A TO-263 |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 70A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 35A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 75nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3750pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NP70N10KUF
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C)
120
100
80
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
140
120
100
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
80
60
60
40
20
0
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
25
50
75
100
125
150
175
1000
T C - Case Temperature - ° C
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
I D(Pulse) = 135 A
T C - Case Temperature - ° C
100
R DS(on) Limited
(at V GS = 10 V)
I D(DC) = 70 A
100 μ s
10
1
T C = 25°C
Single pulse
DC
10 ms
1 ms
0.1
1
10
100
V DS - Drain to Source Voltage - V
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
100
R th(ch-A) = 83.3°C/W
10
1
R th(ch-C) = 1.25°C/W
0.1
Single pulse
0.01
100 μ
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - Pulse Width - s
Data Sheet D18040EJ2V0DS
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NP80N03KDE-E1-AY | MOSFET N-CH 30V 80A TO-263 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NP7-12 | 制造商:YUASA 功能描述:Sealed rechargeable battery 12 volt 7 |
| NP7-12/.250T | 制造商:EnerSys 功能描述:LEAD ACID BATTERY, 12V, 7AH; Battery Size Code:-; Battery Capacity:7Ah; Battery Voltage:12V; Battery Technology:Lead Acid; External Height:100mm; External Width:65mm; External Depth:151mm; Weight:2.65kg; Battery Terminals:Solder Tab ;RoHS Compliant: NA |
| NP7-12/250 | 制造商:YUASA 功能描述: 制造商:Yuasa Battery Inc 功能描述: |
| NP7120BA1C | 制造商:MMC 功能描述:* |
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