- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18375 > NP80N04KHE-E1-AY (Renesas Electronics America)MOSFET N-CH 40V 80A TO-263 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | NP80N04KHE-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 80A TO-263 |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 60nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NP80N04EHE, NP80N04KHE, NP80N04CHE, NP80N04DHE, NP80N04MHE, NP80N04NHE
Figure6. FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
Figure7. DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
1000
Pulsed
300
100
250
V GS = 10 V
10
T A = ? 40 ° C
25 ° C
75 ° C
150 ° C
175 ° C
200
150
100
1
50
0.1
1
2
3
4
V DS = 10 V
5
6
0
0
1
2
3
Pulsed
4
V GS - Gate to Source Voltage - V
Figure8. FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
V DS - Drain to Source Voltage - V
Figure9. DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
100
10
1
V DS = 10 V
Pulsed
T A = 175 ° C
75 ° C
25 ° C
? 40 ° C
50
40
30
20
Pulsed
0.1
10
I D = 40 A
0.01
0.01
0.1
1
10
100
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
I D - Drain Current - A
Figure10. DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
V GS - Gate to Source Voltage - V
Figure11. GATE TO SOURCE THRESHOLD VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
20
Pulsed
4.0
V DS = V GS
I D = 250 μ A
3.0
10
V GS = 10 V
2.0
1.0
0
1
10
100
1000
0
? 50
0
50
100
150
I D - Drain Current - A
Data Sheet D14239EJ7V0DS
T ch - Channel Temperature - ° C
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 445W35S25M00000 | CRYSTAL 25.00000 MHZ SERIES SMD |
| B32653A473K289 | FILM CAP 47NF 10% 1000V MKP |
| 445W35C24M57600 | CRYSTAL 24.57600 MHZ 16PF SMD |
| FXO-HC730R-66 | OSC 66 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
| 445W35L24M57600 | CRYSTAL 24.57600 MHZ 12PF SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NP80N04KHE-E2-AY | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| NP80N04MDG | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| NP80N04MDG-S18-AY | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 80A Tube 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SINGLE MOSFET, NCH, 40V, TO220 - Rail/Tube 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO-220 |
| NP80N04MHE | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| NP80N04MHE-S18-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO-220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。