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参数资料
| 型号： | NP80N04KHE-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 9/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 80A TO-263 |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 60nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NP80N04EHE, NP80N04KHE, NP80N04CHE, NP80N04DHE, NP80N04MHE, NP80N04NHE
PACKAGE DRAWINGS (Unit: mm)
1)TO-263 (MP-25ZJ)
Note
2)TO-263 (MP-25ZK)
10 TYP.
4.8 MAX.
1.3 ± 0.2
No plating
10.0 ± 0.3
7.88 MIN.
4.45 ± 0.2
1.3 ± 0.2
4
4
0.025 to
0.25
1
2
3
P.
P.
.5R
0.8
0 to
1.4 ± 0.2
0.7 ± 0.2
2.54 TYP.
0
2.54 TYP.
TY
TY
R
1.Gate
2.Drain
0.5 ± 0.2
1
2.54
2
3
0.75 ± 0.2
0.5 ± 0.2
8 ο
0.25
3.Source
4.Fin (Drain)
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
3)TO-220 (MP-25)
Note
<R> 4)TO-262 (MP-25 Fin Cut)
Note
10.6 MAX.
10.0 TYP.
φ 3.6 ± 0.2
4.8 MAX.
1.3 ± 0.2
10 TYP.
4.8 MAX.
1.3 ± 0.2
4
4
1
2
3
1 2 3
1.3 ± 0.2
1.3 ± 0.2
0.75 ± 0.1
0.5 ± 0.2
2.8 ± 0.2
0.75 ± 0.3
2.54 TYP.
2.54 TYP.
0.5 ± 0.2
2.8 ± 0.2
2.54 TYP.
2.54 TYP.
1.Gate
2.Drain
3.Source
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
4.Fin (Drain)
Note Not for new design
Data Sheet D14239EJ7V0DS
7
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PDF描述 |
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参数描述 |
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