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参数资料
| 型号： | NP80N04KHE-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 80A TO-263 |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 60nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NP80N04EHE, NP80N04KHE, NP80N04CHE, NP80N04DHE, NP80N04MHE, NP80N04NHE
Figure12. DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
Pulsed
16
Figure13. SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
1000 Pulsed
100
V GS = 10 V
12
0V
8
4
V GS = 10 V
I D = 40 A
10
1
0
? 50
0
50
100
150
0.1
0
0.5
1.0
1.5
T ch - Channel Temperature - ° C
Figure14. CAPACITANCE vs. DRAIN TO
SOURCE VOLTAGE
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
Figure15. SWITCHING CHARACTERISTICS
10000
V GS = 0 V
1000
f = 1 MHz
C iss
t f
1000
C oss
C rss
100
t d(on)
t d(off)
t r
100
10
V DD = 20 V
R G = 1 Ω
10
0.1
1
10
100
V GS = 10 V
1
0.1
1
10
100
V DS - Drain to Source Voltage - V
Figure16. REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
I D - Drain Current - A
Figure17. DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
di/dt = 100 A/ μ s
80
16
V GS = 0 V
14
100
60
40
V DD = 32 V
20 V
8V
V GS
12
10
8
10
20
V DS
6
4
2
1
0.1
1.0
10
100
0
0
10
20
30
I D = 80 A
40
6
I F - Diode Forward Curren - A
Data Sheet D14239EJ7V0DS
Q G - Gate Charge - nC
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 445W35S25M00000 | CRYSTAL 25.00000 MHZ SERIES SMD |
| B32653A473K289 | FILM CAP 47NF 10% 1000V MKP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NP80N04KHE-E2-AY | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| NP80N04MDG | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| NP80N04MDG-S18-AY | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 80A Tube 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SINGLE MOSFET, NCH, 40V, TO220 - Rail/Tube 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO-220 |
| NP80N04MHE | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| NP80N04MHE-S18-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO-220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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