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参数资料
| 型号： | NP80N055NLE-S18-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 10/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 80A TO-262 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 75nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | TO-262 |
| 包装： | 管件 |
NP80N055ELE, NP80N055KLE, NP80N055CLE, NP80N055DLE, NP80N055MLE, NP80N055NLE
5)TO-220 (MP-25K)
6)TO-262 (MP-25SK)
10.0 ± 0.2
φ 3.8 ± 0.2
4.45 ± 0.2
1.3 ± 0.2
10.0 ± 0.2
4.45 ± 0.2
1.3 ± 0.2
4
1 2
3
4
1 2 3
1.27 ± 0.2
0.8 ± 0.1
1.27 ± 0.2
0.8 ± 0.1
0.5 ± 0.2
2.5 ± 0.2
2.54 TYP.
2.54 TYP.
0.5 ± 0.2
2.5 ± 0.2
2.54 TYP.
2.54 TYP.
1.Gate
2.Drain
3.Source
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
4.Fin (Drain)
EQUIVALENT CIRCUIT
Drain
Body
Gate
Gate
Protection
Diode
Remark
8
Diode
Source
The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD.
When this device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage exceeding
the rated voltage may be applied to this device.
Data Sheet D14097EJ6V0DS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSO330N02K G | MOSFET 2N-CH 20V 5.4A DSO8 |
| 445W31S30M00000 | CRYSTAL 30.00000 MHZ SERIES SMD |
| B32653A1223J289 | FILM CAP 22NF 5% 1600V MKP |
| JWL11RA1A/U | SWITCH ROCKER SPST 16A 125V |
| B32612A1153J008 | CAP FILM 0.015UF 1.6KVDC RADIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NP80N055PDG | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| NP80N055PDG-E1B-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO-263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NP80N055PDG-E2B-AY | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| NP80N06MLG | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| NP80N06MLG-S18-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 80A TO-220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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