- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18277 > NP80N055NLE-S18-AY (Renesas Electronics America)MOSFET N-CH 55V 80A TO-262 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | NP80N055NLE-S18-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 80A TO-262 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 75nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | TO-262 |
| 包装： | 管件 |
NP80N055ELE, NP80N055KLE, NP80N055CLE, NP80N055DLE, NP80N055MLE, NP80N055NLE
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C)
Figure1. DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
100
80
140
120
100
Figure2. TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
80
60
60
40
20
40
20
0
0
25
50
75
100 125 150 175 200
0
0
25
50
75
100 125 150 175 200
T C - Case Temperature - ° C
Figure3. FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
1000
120
T C - Case Temperature - ° C
Figure4. SINGLE AVALANCHE ENERGY
DERATING FACTOR
ite
n) Lim 0 V)
R D V GS =
Po 1m
Lim w r
i e D s i
t d
ati
0 μ
100
10
(
S(o
d
I D(DC)
e DC s
sip
I D(pulse)
on
10
PW
s
=1
0 μ
s
100
80
60
100 mJ
90 mJ
I AS = 10 A
30 A
45 A
40
1
T C = 25 ° C
20
Single Pulse
0.1
0.1
1 10
100
2.0 mJ
0
25 50
75
100
125
150
175
V DS - Drain to Source Voltage - V
Starting T ch - Starting Channel Temperature - ° C
Figure5. TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
1000
100
10
1
0.1
0.01
Single Pulse
R th(ch-A) = 83.3 ° C/W
R th(ch-C) = 1.25 ° C/W
10 μ
100 μ
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - Pulse Width - s
4
Data Sheet D14097EJ6V0DS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSO330N02K G | MOSFET 2N-CH 20V 5.4A DSO8 |
| 445W31S30M00000 | CRYSTAL 30.00000 MHZ SERIES SMD |
| B32653A1223J289 | FILM CAP 22NF 5% 1600V MKP |
| JWL11RA1A/U | SWITCH ROCKER SPST 16A 125V |
| B32612A1153J008 | CAP FILM 0.015UF 1.6KVDC RADIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NP80N055PDG | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| NP80N055PDG-E1B-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO-263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NP80N055PDG-E2B-AY | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| NP80N06MLG | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| NP80N06MLG-S18-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 80A TO-220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。