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参数资料
| 型号： | NP82N055NUG-S18-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 82A TO-262 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 82A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 毫欧 @ 41A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 160nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | TO-262 |
| 包装： | 管件 |
NP82N055MUG, NP82N055NUG
350
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
1000
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
V DS = 10 V
300
100
Pulsed
250
200
150
100
50
0
V GS = 10 V
Pulsed
10
1
0.1
0.01
0.001
T A = 175 ° C
150 ° C
125 ° C
75 ° C
? 55 ° C
? 25 ° C
25 ° C
0
1
2
3
4
5
6
0
1
2
3
4
5
6
7
V DS - Drain to Source Voltage - V
GATE TO SOURCE THRESHOLD VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
4
100
V GS - Gate to Source Voltage - V
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
3.5
3
2.5
T A = ? 55 ° C
? 25 ° C
25 ° C
75 ° C
150 ° C
2
10
125 ° C
175 ° C
1.5
1
0.5
0
V DS = V GS
I D = 250 μ A
1
V DS = 5 V
Pulsed
-75
-25
25
75
125
175
225
0.1
1
10
100
1000
T ch - Channel Temperature - ° C
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
20
V GS = 10 V
I D - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
30
Pulsed
16
Pulsed
12
20
I D = 82 A
41 A
16.4 A
8
10
4
0
0
0.1
1
10
100
1000
0
4
8
12
16
20
4
I D - Drain Current - A
Data Sheet D19804EJ1V0DS
V GS - Gate to Source Voltage - V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NP82N055PUG-E1-AY | MOSFET N-CH 55V 82A TO-263 |
| NP82N06MLG-S18-AY | MOSFET N-CH TO-220 |
| NP82N06NLG-S18-AY | MOSFET N-CH 60V 82A TO-262 |
| NP82N06PDG-E1-AY | MOSFET N-CH 60V 82A TO-263 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NP82N055PUG-E1-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 82A TO-263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NP82N055PUG-E1-AY/JM | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| NP82N055PUG-E2-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Transistor,FET,Nch,55V/82A |
| NP82N06MLG | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| NP82N06MLG-S18-AY | 功能描述:MOSFET N-CH TO-220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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