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参数资料
| 型号： | NP82N055NUG-S18-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 82A TO-262 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 82A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 毫欧 @ 41A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 160nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | TO-262 |
| 包装： | 管件 |
NP82N055MUG, NP82N055NUG
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
20
16
12
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
10000
C iss
8
1000
C oss
4
V GS = 10 V
I D = 41 A
V GS = 0 V
C rss
0
Pulsed
100
f = 1 MHz
-75
-25
25
75
125
175
225
0.1
1
10
100
T ch - Channel Temperature - ° C
SWITCHING CHARACTERISTICS
V DS - Drain to Source Voltage - V
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
50
V DD = 44 V
10
100
t d(off)
t r
40
28 V
11 V
8
30
6
10
V DD = 28 V
V GS = 10 V
R G = 0 Ω
t d(on)
t f
20
10
V DS
V GS
I D = 82 A
4
2
1
0
0
0.1
1
10
100
0
20
40
60
80
100
120
I D - Drain Current - A
SOURCE TO DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
1000
100
10 V
100
Q G - Gate Charge - nC
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
10
1
V GS = 0 V
0.1
0.01
Pulsed
10
di/dt = 100 A/ μ s
V GS = 0 V
0
0.5
1
1.5
1
10
100
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
Data Sheet D19804EJ1V0DS
I F - Diode Forward Current - A
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NP82N055PUG-E1-AY | MOSFET N-CH 55V 82A TO-263 |
| NP82N06MLG-S18-AY | MOSFET N-CH TO-220 |
| NP82N06NLG-S18-AY | MOSFET N-CH 60V 82A TO-262 |
| NP82N06PDG-E1-AY | MOSFET N-CH 60V 82A TO-263 |
| NP83P04PDG-E1-AY | MOSFET P-CH -40V 83A TO-263 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NP82N055PUG-E1-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 82A TO-263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| NP82N055PUG-E1-AY/JM | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| NP82N055PUG-E2-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Transistor,FET,Nch,55V/82A |
| NP82N06MLG | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| NP82N06MLG-S18-AY | 功能描述:MOSFET N-CH TO-220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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