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参数资料
| 型号： | NP84N075NUE-S18-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 84A TO-262 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 84A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12.5 毫欧 @ 42A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 150nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | TO-262 |
| 包装： | 管件 |
NP84N075EUE, NP84N075KUE, NP84N075CUE, NP84N075DUE, NP84N075MUE, NP84N075NUE
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T A = 25 ° C)
Drain to Source Voltage (V GS = 0 V)
Gate to Source Voltage (V DS = 0 V)
V DSS
V GSS
75
± 20
V
V
Drain Current (DC) (T C = 25 ° C)
Note1
I D(DC)
± 84
A
Drain Current (pulse)
Note2
I D(pulse)
± 260
A
Total Power Dissipation (T A = 25 ° C)
Total Power Dissipation (T C = 25 ° C)
Channel Temperature
Storage Temperature
P T1
P T2
T ch
T stg
1.8
200
175
? 55 to + 175
W
W
° C
° C
Single Avalanche Current
Single Avalanche Energy
Note3
Note3
I AS
E AS
19/52/73
333/250/50
A
mJ
Notes 1. Calculated constant current according to MAX. allowable channel temperature.
2. PW ≤ 10 μ s, Duty cycle ≤ 1%
3. Starting T ch = 25 ° C, V DD = 35 V, R G = 25 Ω , V GS = 20 → 0 V (See Figure 4. )
THERMAL RESISTANCE
Channel to Case Thermal Resistance
Channel to Ambient Thermal Resistance
R th(ch-C)
R th(ch-A)
0.75
83.3
° C/W
° C/W
2
Data Sheet D14675EJ4V0DS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M2024TXW13-GH | SWITCH ROCKER SP3T 6A 125V |
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| 445W31B16M00000 | CRYSTAL 16.000000 MHZ 13PF SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NP84W | 制造商:Hubbell Wiring Device-Kellems 功能描述:WALLPLATE, 4-G, 4) DUP, WH |
| NP865B | 制造商:Pentair Technical Products / Hoffman 功能描述:Nstar 800x600x500 Blk Pkg Black, 30.20x21.77x19.68, Steel |
| NP866B | 制造商:Pentair Technical Products / Hoffman 功能描述:Nstar 800x600x600 Blk Pkg Black, 30.20x21.77x23.62, Steel |
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| NP86N04CHE-S12-AZ | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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