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参数资料
| 型号： | NP84N075NUE-S18-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 84A TO-262 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 84A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12.5 毫欧 @ 42A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 150nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | TO-262 |
| 包装： | 管件 |
NP84N075EUE, NP84N075KUE, NP84N075CUE, NP84N075DUE, NP84N075MUE, NP84N075NUE
Figure6. FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
Figure7. DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
1000
100
Pulsed
400
320
240
Pulsed
V GS = 10 V
10
1
T A = ? 55 ° C
25 ° C
75 ° C
150 ° C
175 ° C
160
80
0.1
2
3
4
5
6
7
0
0
2
4
6
8
V GS - Gate to Source Voltage - V
Figure8. FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
V DS - Drain to Source Voltage - V
Figure9. DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
100
V DS = 10 V
Pulsed
20
Pulsed
10
1
T A = 175 ° C
75 ° C
25 ° C
? 55 ° C
10
I D = 42 A
0.1
0.01
0.01
0.1
1
10
100
0
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
I D - Drain Current - A
Figure10. DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
V GS - Gate to Source Voltage - V
Figure11. GATE TO SOURCE THRESHOLD VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
30
Pulsed
4.0
V DS = V GS
I D = 250 μ A
3.0
20
2.0
10
V GS = 10 V
1.0
0
1
10 100
I D - Drain Current - A
1000
0
? 50
0 50 100 150
T ch - Channel Temperature - ° C
Data Sheet D14675EJ4V0DS
5
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