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参数资料
| 型号： | NP88N075KUE-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 88A TO-263 |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 88A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.5 毫欧 @ 44A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 230nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 12300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NP88N075EUE, NP88N075KUE, NP88N075CUE, NP88N075DUE, NP88N075MUE, NP88N075NUE
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C)
CHARACTERISTICS
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate Leakage Current
Gate to Source Threshold Voltage
Forward Transfer Admittance
Drain to Source On-state Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate to Source Charge
Gate to Drain Charge
Body Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
SYMBOL
I DSS
I GSS
V GS(th)
| y fs |
R DS(on)
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q G
Q GS
Q GD
V F(S-D)
t rr
Q rr
TEST CONDITIONS
V DS = 75 V, V GS = 0 V
V GS = ± 20 V, V DS = 0 V
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V DS = 10 V, I D = 44 A
V GS = 10 V, I D = 44 A
V DS = 25 V,
V GS = 0 V,
f = 1 MHz
V DD = 38 V, I D = 44 A,
V GS = 10 V,
R G = 0 Ω
V DD = 60 V,
V GS = 10 V,
I D = 88 A
I F = 88 A, V GS = 0 V
I F = 88 A, V GS = 0 V,
di/dt = 100 A/ μ s
MIN.
2.0
30
TYP.
3.0
60
6.2
8200
800
440
35
28
105
16
150
30
52
1.0
80
240
MAX.
10
± 100
4.0
8.5
12300
1200
800
77
70
210
40
230
UNIT
μ A
nA
V
S
m Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
nC
TEST CIRCUIT 1 AVALANCHE CAPABILITY
TEST CIRCUIT 2 SWITCHING TIME
PG.
V GS = 20 → 0 V
D.U.T.
R G = 25 Ω
50 Ω
L
V DD
PG.
D.U.T.
R G
R L
V DD
V GS
Wave Form
V GS
0
V DS
10%
V GS
90%
90%
90%
V DD
I D
I AS
BV DSS
V DS
V GS
0
τ
V DS
Wave Form
V DS
0
t d(on)
10%
t r
10%
t d(off)
t f
Starting T ch
τ = 1 μ s
Duty Cycle ≤ 1%
t on
t off
TEST CIRCUIT 3 GATE CHARGE
D.U.T.
I G = 2 mA
R L
PG.
50 Ω
V DD
Data Sheet D14676EJ6V0DS
3
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参数描述 |
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| NP88N075NUE | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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