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参数资料
| 型号： | NP88N075KUE-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 88A TO-263 |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 88A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.5 毫欧 @ 44A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 230nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 12300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NP88N075EUE, NP88N075KUE, NP88N075CUE, NP88N075DUE, NP88N075MUE, NP88N075NUE
Figure12. DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE
vs. CHANNEL TEMPERATURE
Figure13. SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
18
16
14
12
I D = 44 A
1000
100
Pulsed
V GS = 10 V
10
V GS = 10 V
10
0V
8
6
1
4
2
0
? 50
0
50
100
150
0.1
0
0.5
1.0
1.5
T ch - Channel Temperature - ° C
Figure14. CAPACITANCE vs. DRAIN TO
SOURCE VOLTAGE
V F(S-D) - Body Diode Forward Voltage - V
Figure15. SWITCHING CHARACTERISTICS
100000
V GS = 0 V
f = 1 MHz
1000
t f
10000
C iss
100
t d(off)
t d(on)
t r
1000
C oss
10
100
0.1
1
10
C rss
100
1
0.1
1
10
V DD = 38 V
V GS = 10 V
R G = 0 Ω
100
V DS - Drain to Source Voltage - V
Figure16. REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
I D - Drain Current - A
Figure17. DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
100
10
100
80
60
V DD = 60 V
38 V
15 V
V GS
8
6
10
40
4
di/dt = 100 A/ μ s
20
V DS
2
1
0.1
1
V GS = 0 V
10
100
0
0
40
80
I D = 88 A
120 160
0
6
I F - Diode Forward Current - A
Data Sheet D14676EJ6V0DS
Q G - Gate Charge - nC
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| NP88N075NUE | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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