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参数资料
| 型号： | NP88N075KUE-E1-AY |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 88A TO-263 |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 88A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.5 毫欧 @ 44A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 230nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 12300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NP88N075EUE, NP88N075KUE, NP88N075CUE, NP88N075DUE, NP88N075MUE, NP88N075NUE
Figure6. FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
Figure7. DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
1000
Pulsed
V DS = 10 V
500
100
T A = ? 55 ° C
25 ° C
75 ° C
175 ° C
400
300
V GS = 10 V
10
200
1
100
0.1
2
3
4
5
6
7
0
0
1
2
3
Pulsed
4
V GS - Gate to Source Voltage - V
Figure8. FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
100
10
V DS - Drain to Source Voltage - V
Figure9. DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE
vs. GATE TO SOURCE VOLTAGE
20
Pulsed
15
1
0.1
T A = 175 ° C
75 ° C
25 ° C
? 55 ° C
V DS = 10 V
10
5
I D = 44 A
0.01
0.01
0.1
1
Pulsed
10
100
0
0
4
8
12
16
20
I D - Drain Current - A
Figure10. DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
V GS - Gate to Source Voltage - V
Figure11. GATE TO SOURCE THRESHOLD VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
15
Pulsed
4
V DS = V GS
I D = 250 μ A
V GS = 10 V
10
3
2
5
1
0
1
10 100
I D - Drain Current - A
1000
0
? 50
0 50 100 150
T ch - Channel Temperature - ° C
Data Sheet D14676EJ6V0DS
5
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| NP88N075NUE | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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