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参数资料
| 型号： | NSB12ANT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS ZENER 600W 12V SMB |
| 标准包装： | 2,500 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 12V |
| 电压 - 击穿： | 13.2V |
| 功率（瓦特）： | 600W |
| 电极标记： | 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AA，SMB |
| 供应商设备封装： | SMB |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NSB12ANT3G
UL RECOGNITION
The entire series has
Underwriters Laboratory
including Strike Voltage Breakdown test, Endurance
Recognition for the classification of protectors (QVGV2)
under the UL standard for safety 497B and File #116110.
Many competitors only have one or two devices recognized
or have recognition in a non‐protective category. Some
competitors have no recognition at all. With the UL497B
recognition, our parts successfully passed several tests
Conditioning, Temperature test, Dielectric
Voltage‐Withstand test, Discharge test and several more.
Whereas, some competitors have only passed a
flammability test for the package material, we have been
recognized for much more to be included in their Protector
category.
http://onsemi.com
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NSB13ANT3G | TVS ZENER 600W 13V SMB |
| NSQA12VAW5T2G | TVS QUAD ARRAY LO CAP ESD SOT323 |
| NUP1105LT3G | IC BUS PROTECTOR CAN/LIN SOT-23 |
| NUP1301ML3T1G | IC DIODE ARRAY LOCAP ESD SOT-23 |
| NUP1301U,115 | IC DIODE ARRAY ESD SC-70 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NSB13211DW6T1G | 功能描述:TRANS BRT DUAL COMPL SC-88 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:70mA，100mA 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:50V 电阻器 - 基极 (R1)（欧）:47k，2.2k 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）:47k 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大）:- 频率 - 转换:100MHz，200MHz 功率 - 最大:250mW 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商设备封装:PG-SOT363-6 包装:带卷 (TR) 其它名称:SP000784046 |
| NSB13ANT3G | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 SMB TVS 600W 13V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| NSB13ANT3H | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| NSB1706DMW5T1 | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| NSB1706DMW5T1/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Dual Bias Resistor Transistor |
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