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参数资料
| 型号： | NSD914F3T5G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 112K |
| 描述： | IC DIODE SW HS 100V SOT-1123 |
| 产品变化通告： | Wire Bond Change 01/Dec/2010 |
| 标准包装： | 8,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 10mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 75V |
| 电容@ Vr, F： | 4pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-1123 |
| 供应商设备封装： | SOT-1123 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NSD914F3T5G
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA
= 25
°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Reverse Breakdown Voltage
(IR
= 100
Adc)
V(BR)
100
?
?
Vdc
Reverse Voltage Leakage Current
(VR
= 20 Vdc)
(VR
= 75 Vdc)
IR
?
?
?
?
25
5.0
nAdc
Adc
Diode Capacitance
(VR
= 0, f = 1.0 MHz)
CT
?
?
4.0
pF
Forward Voltage
(IF
= 10 mAdc)
VF
?
?
1.0
Vdc
Reverse Recovery Time
(IF
= I
R
= 10 mAdc) (Figure 1)
trr
?
?
4.0
ns
1. FR?5 = 1.0
0.75
0.062 in.
2. Alumina = 0.4
0.3
0.024 in. 99.5% alumina.
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