参数资料
型号: NSR0170P2T5G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 2/3页
文件大小: 61K
描述: DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOD-923
产品变化通告: Copper Wire Change 19/May/2010
标准包装: 8,000
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 70V
电流 - 平均整流 (Io): 70mA(DC)
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 730mV @ 15mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 3µA @ 70V
电容@ Vr, F: 2pF @ 0V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOD-923
供应商设备封装: SOD-923
包装: 带卷 (TR)
其它名称: NSR0170P2T5G-ND
NSR0170P2T5GOSTR
NSR0170P2T5G
http://onsemi.com
2
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Thermal Resistance
Junction-to-Ambient (Note 1)
Total Power Dissipation @ TA
= 25
°C
R
P
JA
D
520
240
°C/W
mW
Thermal Resistance
Junction-to-Ambient (Note 2)
Total Power Dissipation @ TA
= 25
°C
R
P
JA
D
175
710
°C/W
mW
Junction and Storage Temperature Range
TJ, Tstg
-55 to +150
°C
1. Mounted onto a 4 in square FR-4 board 10 mm sq. 1 oz. Cu 0.06” thick single sided. Operating to steady state.
2. Mounted onto a 4 in square FR-4 board 1 in sq. 1 oz. Cu 0.06” thick single sided. Operating to steady state.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA
= 25
°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Reverse Leakage
(VR
= 50 V)
(VR
= 70 V)
IR
25
-
90
3.0
nA
A
Forward Voltage
(IF
= 1.0 mA)
(IF
= 10 mA)
(IF
= 15 mA)
VF
0.34
0.56
0.65
0.39
0.64
0.73
V
Total Capacitance
(VR
= 0 V, f = 1 MHz)
CT
2.0
pF
Figure 1. Forward Voltage Figure 2. Leakage Current
VF, FORWARD VOLTAGE (V) VR, REVERSE VOLTAGE (V)
1.6
1.0
0.8
0.6
0.2
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
70
60
50
40
30
20
10
0
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
10
100
Figure 3. Total Capacitance
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
80
50 7060
40
30
20
10
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
I
F
, FORWARD CURRENT (mA)
I
r
, REVERSE CURRENT (
A)
C
T
, TOTAL CAPACITANCE (pF)
0.4
150°C
125°C
-40°C
85°C
25°C
150°C
125°C
-40°C
85°C
25°C
1
TA
= 25°C
1.2 1.4
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PDF描述
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