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参数资料
| 型号： | NSR01F30NXT5G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 45K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 30V 100MA 2DSN |
| 标准包装： | 5,000 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 100mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 500mV @ 100mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 50µA @ 30V |
| 电容@ Vr, F： | 7pF @ 5V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 2-XFDFN |
| 供应商设备封装： | 2-DSN（0.60x0.30） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NSR01F30NXT5G-ND NSR01F30NXT5GOSTR |
NSR01F30NXT5G
http://onsemi.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 1. Forward Voltage Figure 2. Leakage Current
VF, FORWARD VOLTAGE (V) VR, REVERSE VOLTAGE (V)
0.6
0.5
0.4
0.3
0.1
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
30
25
20
15
10
5
1.0E?04
0
1.0E?02
1.0E+00
1.0E+02
1.0E+04
Figure 3. Total Capacitance
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
25
20
15
10
5
0
0
2
4
6
8
10
12
14
I
F
, FORWARD CURRENT (mA)
I
r
, REVERSE CURRENT (
A)
C
T
, TOTAL CAPACITANCE (pF)
0.2
150°C
125°C
?25°C
75°C
25°C
150°C
125°C
?25°C
75°C
25°C
30
TA
= 25°C
16
18
20
1.0E?03
1.0E?01
1.0E+01
1.0E+03
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NSR01L30NXT5G | DIODE SCHOTTKY 30V 100MA 2DSN |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NSR01L30NXT5G_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Schottky Barrier Diode |
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| NSR020A0X43Z | 功能描述:DC/DC转换器 0.59-6Vout 20A SIP 4.5-13.8Vin RoHS:否 制造商:Murata 产品: 输出功率: 输入电压范围:3.6 V to 5.5 V 输入电压（标称）: 输出端数量:1 输出电压（通道 1）:3.3 V 输出电流（通道 1）:600 mA 输出电压（通道 2）: 输出电流（通道 2）: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体尺寸: |
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