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参数资料
| 型号： | NSR05F30NRT5G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 85K |
| 描述： | IC DIODE SFC SCHOTTKY 0402 2DSN |
| 标准包装： | 5,000 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 500mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 430mV @ 500mA |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 75µA @ 30V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 2-XFDFN |
| 供应商设备封装： | 2-DSN（1x.60） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
   NSR05F30NXT5G http://onsemi.com 2 THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Symbol Min Typ Max Unit Thermal Resistance Junction?to?Ambient (Note 1) Total Power Dissipation @ TA = 25 °C R P JA D 240 521 °C/W mW Thermal Resistance Junction?to?Ambient (Note 2) Total Power Dissipation @ TA = 25 °C R P JA D 94 1.3 °C/W W Storage Temperature Range Tstg ?40 to +125 °C Junction Temperature TJ +150 °C 1. Mounted onto a 4 in square FR?4 board 50 mm sq. 1 oz. Cu 0.06” thick single sided. Operating to steady state. 2. Mounted onto a 4 in square FR?4 board 1 in sq. 1 oz. Cu 0.06” thick single sided. Operating to steady state. ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C unless otherwise noted) Characteristic Symbol Min Typ Max Unit Reverse Leakage (VR = 10 V) (VR = 30 V) IR 15 75 A Forward Voltage (IF = 100 mA) (IF = 500 mA) VF 0.320 0.400 0.360 0.430 V |
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PDF描述 |
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参数描述 |
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