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参数资料
| 型号： | NTB13N10 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 27/Jun/2007 Product Discontinuation 03/Apr/2007 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 165 毫欧 @ 6.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 550pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 64.7W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
NTB13N10
26
24
22
9V
V GS = 10 V
T J = 25 ° C
26
24
22
V DS ≥ 10 V
20
18
16
14
8V
7.5 V
7V
6.5 V
6V
20
18
16
14
12
12
10
8
6
5.5 V
5V
10
8
6
T J = 25 ° C
4
2
4.5 V
4
2
T J = 100 ° C
T J = ?55 ° C
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8 9
10
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8 9
10
0.5
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On?Region Characteristics
V GS = 10 V
0.2
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
T J = 25 ° C
0.4
0.175
0.3
0.2
0.1
T J = 100 ° C
T J = 25 ° C
T J = ?55 ° C
0.15
0.125
V GS = 10 V
V GS = 15 V
0
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
22 24 26
0.1
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20 22 24 26
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On?Resistance versus Drain Current
and Temperature
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On?Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
3
2.5
2
I D = 6.5 A
V GS = 10 V
10000
1000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.5
1
0.5
100
T J = 100 ° C
0
?50 ?25
0
25
50
75
100
125
150
175
10
20
30
40
50
60
70 80 90
100
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On?Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain?to?Source Leakage Current
versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B82790C113N201 | CHOKE COM MODE 11UH 500MA SMD |
| YB226CWCKW01-5D-JB | SWITCH PUSHBUTTON DPDT 3A 125V |
| ASA-57.692MHZ-L-T3 | OSC 57.692 MHZ 3.3V SMD |
| ASA-50.000MHZ-L-T3 | OSC 50.000 MHZ 3.3V SMD |
| YB226CWCKW01-5C-JB | SWITCH PUSHBUTTON DPDT 3A 125V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTB13N10G | 功能描述:MOSFET 100V 13A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB13N10T4 | 功能描述:MOSFET 100V 13A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB13N10T4G | 功能描述:MOSFET 100V 13A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB-1401 | 制造商:QUEST TECHNOLOGY 功能描述:IVORY 4C RJ-11 SINGLE SURFACE BOX |
| NTB-1402 | 制造商:Quest Tech. 功能描述:Conn RJ-11 F 4 POS ST Cable Mount 4 Terminal 1 Port |
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