- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18551 > NTB13N10 (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK PDF资料下载
参数资料
| 型号： | NTB13N10 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 27/Jun/2007 Product Discontinuation 03/Apr/2007 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 165 毫欧 @ 6.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 550pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 64.7W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
NTB13N10
SAFE OPERATING AREA
100
10
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
10 m s
100 m s
100
80
6 0
I D = 13 A
1
1 ms
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
10 ms
dc
4 0
20
PACKAGE LIMIT
0.1
0.1
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
175
1
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
D = 0.5
0.2
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
0.1
0.05
P (pk)
R q JC (t) = r(t) R q JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
SINGLE PULSE
0.01
t 1
t 2
DUTY CYCLE, D = t 1 /t 2
READ TIME AT t 1
T J(pk) ? T C = P (pk) R q JC (t)
0.1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t, TIME (s)
Figure 13. Thermal Response
di/dt
I S
t rr
t p
t a
t b
0.25 I S
TIME
I S
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
http://onsemi.com
6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B82790C113N201 | CHOKE COM MODE 11UH 500MA SMD |
| YB226CWCKW01-5D-JB | SWITCH PUSHBUTTON DPDT 3A 125V |
| ASA-57.692MHZ-L-T3 | OSC 57.692 MHZ 3.3V SMD |
| ASA-50.000MHZ-L-T3 | OSC 50.000 MHZ 3.3V SMD |
| YB226CWCKW01-5C-JB | SWITCH PUSHBUTTON DPDT 3A 125V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTB13N10G | 功能描述:MOSFET 100V 13A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB13N10T4 | 功能描述:MOSFET 100V 13A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB13N10T4G | 功能描述:MOSFET 100V 13A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB-1401 | 制造商:QUEST TECHNOLOGY 功能描述:IVORY 4C RJ-11 SINGLE SURFACE BOX |
| NTB-1402 | 制造商:Quest Tech. 功能描述:Conn RJ-11 F 4 POS ST Cable Mount 4 Terminal 1 Port |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。