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参数资料
| 型号： | NTB25P06T4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK |
| 产品目录绘图： | MOSFET D2PAK |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 27.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 82 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1680pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 120W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NTB25P06T4GOSDKR |
NTB25P06, NVB25P06
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T C = 25 ° C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain ? to ? Source Breakdown Voltage (Note 3)
(V GS = 0 V, I D = ? 250 m A)
(Positive Temperature Coefficient)
Zero Gate Voltage Drain Current
(V GS = 0 V, V DS = ? 60 V, T J = 25 ° C)
(V GS = 0 V, V DS = ? 60 V, , T J = 150 ° C)
Gate ? Body Leakage Current (V GS = ± 15 V, V DS = 0 V)
V (BR)DSS
I DSS
I GSS
? 60
?
?
?
?
?
64
?
?
?
?
?
? 10
? 100
± 100
V
mV/ ° C
m A
nA
ON CHARACTERISTICS (Note 3)
Gate Threshold Voltage
(V DS = V GS, I D = ? 250 m A)
(Negative Threshold Temperature Coefficient)
Static Drain ? Source On ? State Resistance
(V GS = ? 10 V, I D = ? 12.5 A)
(V GS = ? 10 V, I D = ? 25 A)
V GS(th)
R DS(on)
? 2.0
?
?
?
? 2.8
6.2
0.065
0.070
? 4.0
?
0.075
0.082
V
mV/ ° C
W
Forward Transconductance
gFS
Mhos
(V DS = ? 10 V, I D = ? 12.5 A)
?
13
?
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
C iss
?
1200
1680
pF
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
(V DS = ? 25 V, V GS = 0 V,
F = 1.0 MHz)
C oss
C rss
?
?
345
90
480
180
SWITCHING CHARACTERISTICS (Notes 3 & 4)
Turn ? On Delay Time
t d(on)
?
14
24
ns
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
Gate Charge
(V DD = ? 30 V, I D = ? 25 A,
V GS = ? 10 V R G = 9.1 W )
(V DS = ? 48 V, I D = ? 25 A,
V GS = ? 10 V)
t r
t d(off)
t f
Q T
Q 1
Q 2
?
?
?
?
?
?
72
43
190
33
6.5
15
118
68
320
50
?
?
ns
ns
ns
nC
BODY ? DRAIN DIODE RATINGS (Note 3)
Diode Forward On ? Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Stored Charge
(I S = ? 25 A, V GS = 0 V)
(I S = ? 25 A, V GS = 0 V, T J = 150 ° C)
(I S = ? 25 A, V GS = 0 V,
dI S /dt = 100 A/ m s)
V SD
t rr
t a
t b
Q RR
?
?
?
?
?
?
? 1.8
? 1.4
70
50
20
0.2
? 2.5
?
?
?
?
?
V
ns
m C
3. Indicates Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 m s, Duty Cycle ≤ 2%.
4. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
http://onsemi.com
2
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