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参数资料
| 型号： | NTB6411ANG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 72A D2PAK |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 72A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 毫欧 @ 72A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 100nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 188W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
NTB6411AN, NTP6411AN, NVB6411AN
160
140
T J = 25 ° C
10 V
7.5 V
6.5 V
160
140
V DS w 10 V
120
120
100
80
6.0 V
5.6 V
100
80
60
40
20
5.0 V
V GS = 4.4 V
60
40
20
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0
0
1
2
3
4
5
0
2
3 4 5 6 7
8
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.035
I D = 72 A
T J = 25 ° C
0.04
V GS = 10 V
T J = 175 ° C
0.025
0.03
0.02
T J = 125 ° C
0.015
0.01
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0.005
5
6
7
8
9
10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Region versus Gate Voltage
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
and Temperature
3
2.5
I D = 72 A
V GS = 10 V
100000
V GS = 0 V
2
10000
T J = 150 ° C
1.5
T J = 125 ° C
1
0.5
? 50
? 25
0 25 50 75 100 125
150
175
1000
10
20 30 40 50 60 70 80 90 100
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTB6413ANG | MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK |
| NTB85N03T4G | MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK |
| NTBV5605T4G | MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK |
| NTC-04-0002 | GU 7000 SERIES POWER CABLE |
| NTCDS3SG104GC4NB | THERMISTOR NTC GLASS 100KOHM AXL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTB6411ANT4G | 功能描述:MOSFET NFET D2PAK 100V 75A 16MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB6412AN | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 100 V, 58 A, 18.2 mΩ |
| NTB6412AN_12 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET |
| NTB6412ANG | 功能描述:MOSFET NFET D2PAK 100V 58A 18MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB6412ANT4G | 功能描述:MOSFET NFET D2PAK 100V 59A 20MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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