参数资料
型号: NTB6411ANG
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 5/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 100V 72A D2PAK
标准包装: 75
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 72A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 14 毫欧 @ 72A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 3700pF @ 25V
功率 - 最大: 188W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 管件
NTB6411AN, NTP6411AN, NVB6411AN
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.01
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
0.001
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t, PULSE TIME (s)
Figure 13. Thermal Response
ORDERING INFORMATION
NTB6411ANG
NTB6411ANT4G
NTP6411ANG
NVB6411ANT4G
Device
Package
D 2 PAK
(Pb ? Free)
D 2 PAK
(Pb ? Free)
TO ? 220
(Pb ? Free)
D 2 PAK
(Pb ? Free)
Shipping ?
50 Units / Rail
800 / Tape & Reel
50 Units / Rail
800 / Tape & Reel
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
5
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参数描述
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