- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录486 > NTB6411ANG (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 100V 72A D2PAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NTB6411ANG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 72A D2PAK |
| 标准包装： | 75 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 72A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 毫欧 @ 72A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 100nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 188W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
NTB6411AN, NTP6411AN, NVB6411AN
8000
7000
6000
5000
4000
C iss
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
10
8
6
V DS
Q gs
Q gd
Q T
V GS
100
80
60
3000
4
40
2000
1000
0
C rss
0
C oss
10 20 30 40 50 60 70 80 90
100
2
0
0
V DS = 80 V
I D = 72 A
T J = 25 ° C
20 40 60 80
20
0
100
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source Voltage and
Drain ? to ? Source Voltage versus Total Charge
1000
100
V DS = 80 V
I D = 72 A
V GS = 10 V
t r
t f
t d(off)
80
70
60
50
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
40
10
t d(on)
30
20
10
1
1
10
100
0
0.4
0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
1.0
1000
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
500
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus
Current
I D = 56 A
100
10
10 m s
100 m s
1 ms
400
300
1
V GS = 10 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
10 ms
dc
200
100
0.1
1
PACKAGE LIMIT
10 100
1000
0
25
50 75 100 125 150
175
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
http://onsemi.com
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTB6413ANG | MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK |
| NTB85N03T4G | MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK |
| NTBV5605T4G | MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK |
| NTC-04-0002 | GU 7000 SERIES POWER CABLE |
| NTCDS3SG104GC4NB | THERMISTOR NTC GLASS 100KOHM AXL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTB6411ANT4G | 功能描述:MOSFET NFET D2PAK 100V 75A 16MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB6412AN | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 100 V, 58 A, 18.2 mΩ |
| NTB6412AN_12 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET |
| NTB6412ANG | 功能描述:MOSFET NFET D2PAK 100V 58A 18MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB6412ANT4G | 功能描述:MOSFET NFET D2PAK 100V 59A 20MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。