- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录19178 > NTB6413ANT4G (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK PDF资料下载
参数资料
| 型号： | NTB6413ANT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK |
| 产品目录绘图： | MOSFET D2PAK |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 42A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 28 毫欧 @ 42A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 51nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 136W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTB6413ANT4GOSDKR |
NTB6413AN, NTP6413AN, NVB6413AN
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C Unless otherwise specified)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain ? to ? Source Breakdown Voltage
Drain ? to ? Source Breakdown Voltage Temper-
ature Coefficient
V (BR)DSS
V (BR)DSS /T J
V GS = 0 V, I D = 250 m A
100
115
V
mV/ ° C
Zero Gate Voltage Drain Current
I DSS
V GS = 0 V,
V DS = 100 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
1.0
100
m A
Gate ? to ? Source Leakage Current
I GSS
V DS = 0 V, V GS = $ 20 V
$ 100
nA
ON CHARACTERISTICS (Note 2)
Gate Threshold Voltage
Negative Threshold Temperature Coefficient
V GS(th)
V GS(th) /T J
V GS = V DS , I D = 250 m A
2.0
8.1
4.0
V
mV/ ° C
Drain ? to ? Source On ? Resistance
Forward Transconductance
R DS(on)
g FS
V GS = 10 V, I D = 42 A
V GS = 5 V, I D = 20 A
25.6
17.9
28
m W
S
CHARGES, CAPACITANCES & GATE RESISTANCE
Input Capacitance
C iss
1800
pF
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
C oss
C rss
V DS = 25 V, V GS = 0 V,
f = 1 MHz
280
100
Total Gate Charge
Threshold Gate Charge
Q G(TOT)
Q G(TH)
51
2.0
nC
Gate ? to ? Source Charge
Gate ? to ? Drain Charge
Q GS
Q GD
V GS = 10 V, V DS = 80 V,
I D = 42 A
10
26
Plateau Voltage
Gate Resistance
V GP
R G
5.8
2.4
V
W
SWITCHING CHARACTERISTICS, V GS = 10 V (Note 3)
Turn ? On Delay Time
t d(on)
13
ns
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
t r
t d(off)
t f
V GS = 10 V, V DD = 80 V,
I D = 42 A, R G = 6.2 W
84
52
71
DRAIN ? SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
V SD
I S = 42 A
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
0.92
0.83
1.3
V
Reverse Recovery Time
t rr
73
ns
Charge Time
Discharge Time
t a
t b
V GS = 0 V, I S = 42 A,
dI SD /dt = 100 A/ m s
56
17
Reverse Recovery Charge
Q RR
230
nC
2. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 m s, Duty Cycle ≤ 2%.
3. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
http://onsemi.com
2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 550-0707F | LED 5MM 5V RT ANGLE GREEN PC MNT |
| CSX750FCC16.000M-UT | OSCILLATOR 16.0000 MHZ SMD |
| MMA6823AKW | IC ACCELEROMETER XY AXIS 16QFN |
| MMA6821KW | IC ACCELEROMETER XY AXIS 16QFN |
| MMA6811AKW | IC ACCELEROMETER XY AXIS 16QFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTB6448ANG | 功能描述:MOSFET NFET D2PAK 100V 80A 14MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB6448ANT4G | 功能描述:MOSFET NFET D2PAK 100V 80 14MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB65N02R | 功能描述:MOSFET 24V 65A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB65N02R_05 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 65 A, 24 V N-Channel TO-220, D2PAK |
| NTB65N02RG | 功能描述:MOSFET 24V 65A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。