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参数资料
| 型号： | NTB6413ANT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK |
| 产品目录绘图： | MOSFET D2PAK |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 42A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 28 毫欧 @ 42A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 51nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 136W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTB6413ANT4GOSDKR |
NTB6413AN, NTP6413AN, NVB6413AN
TYPICAL CHARACTERISTICS
4000
3000
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
10
8
V DS
Q T
V GS
100
80
2000
1000
C iss
6
4
2
Q gs
Q gd
60
40
20
0
0
C rss
10
C oss
20 30 40 50 60 70 80 90
100
0
0
I D = 42 A
T J = 25 ° C
10 20 30 40 50
0
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source Voltage and
Drain ? to ? Source Voltage versus Total Charge
1000
100
10
V DS = 80 V
I D = 42 A
V GS = 10 V
t r
t f
t d(off)
t d(on)
40
30
20
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
10
1
1
10
100
0
0.4
0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
1.0
1000
100
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
10 m s
200
150
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus
Current
I D = 56 A
10
100 m s
100
1
V GS = 10 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
1 ms
10 ms
dc
50
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
0.1
1
PACKAGE LIMIT
10 100
1000
0
25
50 75 100 125 150
175
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 550-0707F | LED 5MM 5V RT ANGLE GREEN PC MNT |
| CSX750FCC16.000M-UT | OSCILLATOR 16.0000 MHZ SMD |
| MMA6823AKW | IC ACCELEROMETER XY AXIS 16QFN |
| MMA6821KW | IC ACCELEROMETER XY AXIS 16QFN |
| MMA6811AKW | IC ACCELEROMETER XY AXIS 16QFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTB6448ANG | 功能描述:MOSFET NFET D2PAK 100V 80A 14MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB6448ANT4G | 功能描述:MOSFET NFET D2PAK 100V 80 14MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB65N02R | 功能描述:MOSFET 24V 65A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB65N02R_05 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 65 A, 24 V N-Channel TO-220, D2PAK |
| NTB65N02RG | 功能描述:MOSFET 24V 65A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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