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参数资料
| 型号： | NTB65N02RG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 09/Jan/2008 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.2 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1330pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.04W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 管件 |
NTB65N02R, NTP65N02R
120
100
V GS = 10 V
V GS = 8.0 V
V GS = 4.5 V
120
100
V DS w 10 V
V GS = 6.0 V
80
60
V GS = 5.5 V
V GS = 5.0 V
V GS = 4.0 V
80
60
V GS = 3.5 V
40
V GS = 3.0 V
40
T J = 25 ° C
20
0
V GS = 2.5 V
20
0
T J = 150 ° C
T J = ?55 ° C
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
5
6
0.028
0.024
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On?Region Characteristics
V GS = 10 V
0.028
0.024
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
V GS = 4.5 V
0.02
0.02
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
0.016
0.012
0.008
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
T J = ?55 ° C
T J = 25 ° C
0.016
0.012
0.008
T J = 25 ° C
T J = ?55 ° C
0.004
0.004
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100 110 120
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100 110 120
1.8
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 3. On?Resistance versus Drain Current
and Temperature
I D = 30 A
10000
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On?Resistance versus Drain Current
and Temperature
1.6
1.4
V GS = 4.5 V and 10 V
1000
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
1.2
1.0
100
T J = 100 ° C
0.8
0.6
10
?50
?25
0
25
50
75
100
125
150
0
5
10
15
20
25
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On?Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain?to?Source Leakage Current
versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTB65N02R | MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK |
| NTB60N06LG | MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK |
| NTB60N06L | MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK |
| B82721K2401N21 | COIL CHOKE 27MH 0.4A VERT |
| CM04RC05T | CHOKE COMMON MODE 800OHMS SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTB65N02RT4 | 功能描述:MOSFET 24V 65A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB65N02RT4G | 功能描述:MOSFET 24V 65A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB6N60 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| NTB6N60T4 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| NTB707 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220AB |
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