参数资料
型号: NTB65N02RG
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 5/8页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK
产品变化通告: Product Discontinuation 09/Jan/2008
标准包装: 50
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 7.6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 8.2 毫欧 @ 30A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1330pF @ 20V
功率 - 最大: 1.04W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 管件
NTB65N02R, NTP65N02R
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.01
SINGLE PULSE
0.1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t, TIME (s)
Figure 12. Thermal Response
ORDERING INFORMATION
NTB65N02R
NTB65N02RG
NTB65N02RT4
NTB65N02RT4G
NTP65N02R
NTP65N02RG
Device
Package
D 2 PAK
D 2 PAK
(Pb?Free)
D 2 PAK
D 2 PAK
(Pb?Free)
TO?220AB
TO?220AB
Shipping ?
50 Units / Rail
50 Units / Rail
800 / Tape & Reel
800 / Tape & Reel
50 Units / Rail
50 Units / Rail
(Pb?Free)
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
5
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CM04RC05T CHOKE COMMON MODE 800OHMS SMD
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参数描述
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NTB65N02RT4G 功能描述:MOSFET 24V 65A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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