- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录17490 > NTB75N06LT4 (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK PDF资料下载
参数资料
| 型号： | NTB75N06LT4 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 30/Dec/2003 Discontinuation 30/Jun/2006 |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11 毫欧 @ 37.5A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 92nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4370pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTB75N06LT4OS |
NTP75N06L, NTB75N06L
160
140
120
V GS = 10 V
V GS = 5 V
V GS = 4.5 V
160
140
120
V DS w 10 V
100
80
60
V GS = 6 V
V GS = 7 V
V GS = 8 V
V GS = 4 V
V GS = 3.5 V
100
80
60
40
20
0
V GS = 3 V
40
20
0
T J = 25 ° C
T J = 100 ° C
T J = ?55 ° C
0
1
2
3
4
1.4
1.8
2.2
2.6
3
3.4
3.8
4.2
4.6
5
0.02
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On?Region Characteristics
V GS = 5 V
0.02
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
V GS = 10 V
0.016
T J = 100 ° C
0.016
0.012
0.008
T J = 25 ° C
T J = ?55 ° C
0.012
0.008
T J = 100 ° C
T J = 25 ° C
T J = ?55 ° C
0.004
0.004
0
20
40
60
80
100
120
0
20
40
60
80
100
120
2
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On?Resistance vs. Gate?to?Source
Voltage
I D = 37.5 A
100000
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On?Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
V GS = 0 V
1.8
V GS = 5 V
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
10000
1000
100
10
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
T J = 100 ° C
?50
?25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
10
20
30
40
50
60
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On?Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain?to?Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTD15N06LT4 | MOSFET N-CH 60V 15A DPAK |
| NTD15N06T4 | MOSFET N-CH 60V 15A DPAK |
| NTD18N06LT4 | MOSFET N-CH 60V 18A DPAK |
| NTB75N03-06T4 | MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK |
| NTD20N06T4 | MOSFET N-CH 60V 20A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTB75N06LT4G | 功能描述:MOSFET NFET 60V .012R TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB75N06T4 | 功能描述:MOSFET 60V 75A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB75N06T4G | 功能描述:MOSFET 60V 75A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB794 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-126VAR |
| NTB795 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 80V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-126VAR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。