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参数资料
| 型号： | NTB75N06LT4 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 30/Dec/2003 Discontinuation 30/Jun/2006 |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11 毫欧 @ 37.5A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 92nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4370pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTB75N06LT4OS |
NTP75N06L, NTB75N06L
12000
6
10000
8000
V DS = 0 V
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
4
Q 1
Q T
Q 2
V GS
6000
4000
C rss
C iss
C oss
3
2
2000
C rss
1
I D = 75 A
T J = 25 ° C
0
10
5
V GS 0 V DS 5
10
15 20
25
0
0
10
20
30
40
50
60
70
GATE?TO?SOURCE OR DRAIN?TO?SOURCE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate?to?Source and
Drain?to?Source Voltage vs. Total Charge
1000
V DS = 30 V
I D = 75 A
80
70
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
V GS = 5 V
60
100
t r
t f
50
40
30
t d(off)
20
10
10
t d(on)
0
1
10
100
0.6
0.64 0.68 0.72 0.76
0.8
0.84 0.86 0.92 0.96
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variations
vs. Gate Resistance
V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
1000
V GS = 15 V
SINGLE PULSE
10 m s
1000
I D = 75 A
T C = 25 ° C
800
100
600
100 m s
1 ms
400
10
10 ms
1
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
dc
200
0
0.1
1
10
100
25
50
75
100
125
150
175
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTD15N06LT4 | MOSFET N-CH 60V 15A DPAK |
| NTD15N06T4 | MOSFET N-CH 60V 15A DPAK |
| NTD18N06LT4 | MOSFET N-CH 60V 18A DPAK |
| NTB75N03-06T4 | MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK |
| NTD20N06T4 | MOSFET N-CH 60V 20A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTB75N06LT4G | 功能描述:MOSFET NFET 60V .012R TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB75N06T4 | 功能描述:MOSFET 60V 75A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB75N06T4G | 功能描述:MOSFET 60V 75A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTB794 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-126VAR |
| NTB795 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 80V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-126VAR |
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